请材料英语大神帮忙翻译。

图8(a)的小价带允许通过以环状方式排列的第二相的纳米结构基质的平滑空穴转移，同时耗散基质/纳米结构界面处的载热声子。图8(b)是键合纳米结构基质的相对能带图，显示了半导体带隙中的小能量差和价带边缘的小能量差，de。

图9(a)掺杂1%N2Te的PbTe-SrTe的载流子迁移率和晶格热导率的温度依赖性。具有小价带的延伸纳米结构SrTe允许无缝空穴转移，同时在基质和纳米结构之间的界面阻挡载热声子。图9(b)是PbTe基质中SrTe沉淀物的价带(VB)和导带(CB)的能量排列示意图。

图12在923？金属硫化物与PbS最大价带能量差与下空穴迁移率的函数关系。高温下空穴迁移率最小化的显著恶化表明，由于热带展宽，PbS和CdS之间的能带随着温度的升高而降低。